Uzmanlar, verileri kalıcı olarak depolayan katı hal sürücülerinin zaman içerisinde yıpranmasına karşın geçici bellek birimi olan RAM'lerin neden sınırsız kez yazılıp silinebildiğini ele almaktadır. Donanım uzmanları, bu temel farkın iki teknolojinin faydalandığı fiziksel ve kimyasal veri depolama mekanizmalarından kaynaklandığını aktarmaktadır. SSD sürücüler elektrik kesilse bile veriyi muhafaza edilebilmek için elektronları fiziksel bariyerlerin arkasına hapsederken, RAM birimleri veriyi hızla dolup boşalan elektrik yükleriyle geçici biçimde saklamaktadır.
SSD sürücülerde veri yazma işlemi, NAND flaş bellek hücrelerindeki oksit katmanına yüksek voltaj uygulanarak elektronların emilmesi esasına dayanır. Araştırmacılar, her yazma ve silme döngüsünde uygulanan yüksek voltajın bu iletken olmayan izolasyon katmanını atomik düzeyde kademeli şekilde zayıflattığını belirtmektedir. Zaman içerisinde eskiyen oksit tabakası elektron tutma kabiliyetini tamamen yitirdiğinde SSD hücresi kullanılamaz hale gelmekte ve sürücünün toplam yazma ömrü sona ermektedir.
RAM teknolojisinde ise durum farklı bir donanım fiziği üzerinden işlemektedir. Analistler, DRAM yapısında yer alan mikro kondansatörlerin elektriksel yükleri bir ve sıfır mantığıyla anlık tuttuğunu, bu sırada hiçbir fiziksel bariyerin veya oksit tabakasının zorlanmadığını belirtmektedir. Elektrik akımı sona erdiğinde sıfırlanan ve voltaj zorlamasına maruz kalmayan RAM birimleri, herhangi bir donanımsal aşınmaya uğramadan milyarlarca kez veri işleme kapasitesini muhafaza etmektedir.
